產品介紹

NEMST-RIE2018系列

反應性離子電漿蝕刻機

反應性離子電漿蝕刻機
反應性離子電漿蝕刻機
  • 專利高密度感應耦合式(ICP)電漿源: ~1011~1013/cm3。 每循環單面處理。 特殊散氣盤設計，確保電漿均勻產生。 . 產品承載機構通入偏壓(DC Pulse 或 RF)。 可調整電極與產品間距。 可大面積進行反應性離子蝕刻。 可以選配反應結束偵測功能(End Point Detection)。
  • 可以達成非等向性、高深寬比之蝕刻目標。 依客戶需求，可以處理6吋、8吋、12吋晶圓，最大可以處理660 mmx 660 mm的板子。 可以使用自由基或離子進行高速蝕刻。 高度蝕刻均勻度。 (可達93%以上) 可以在低壓力下產生高密度電漿。
  • 電漿密度以及離子能量之偏壓可以分別獨立控制。
  • 適用蝕刻材料: 高分子材料Polymer Material (Polyimide, Parylene, FR4, BT, Teflon, etc.), 矽Silicon, 鈍化層/保護層Passivation (Si3N4 or SiON), 介電材料Dielectric (SiO2, High-K, Low-K, etc.), 半導體化合物Semiconductor Compound (GaN, GaAs, InP, SiC and etc), 金屬Metals (Al, Ti, Metal Alloys and etc), 其他材料Other Material (Sapphire, Diamond, ITO, PZT, etc.). 適用半導體、先進封裝(晶圓級封裝、面板及封裝、2.5D/3D立體封裝、CoWoS)、IC載板、Micro-LED、晶圓再生等製程。