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電漿去光阻機
NEMST-AS2002
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性能特點
應用/解決方案
高密度電漿系統(ICP)
無損傷設計
具有水冷機制的電極
高均勻性處理
能夠進行6或8英寸晶圓處理
每個負載最多25~50個晶圓
一個循環處理時間約20~25分鐘
半導體、LED產品各式光阻之去除。
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