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產品介紹

介電屏障放電寬幅式

  • 特色/設計說明
  • 性能特點
  • 應用/解決方案
  • DBD電極設計:電漿密度高。
  • 單電極設計。
  • 反應氣體使用氮氣(N2)。
  • 電極幅寬大。
  • 電極擴充性高,處理速度快。
  • 樣品離電極的距離約為< 2 mm。
  • 可單機或線上模組化。
  • 屬間接式電漿。
  • 可適用各種片材、薄膜材料。
  • 保養及操作簡單方便。
  • 採水冷系統。
  • 僅處理樣品單面。
  • 反應氣體使用氮氣(N2)。
  • 電極幅寬:可依客戶需求設計,一般100mm~2000mm(若欲再寬可設計)
  • 一般可處理的速度為0.5至5 m/min。(依製程需求,可進一步討論)
  • 樣品離電極的距離約為< 2 mm。
  • 屬間接式電漿,無ESD。
  • 電漿穩定性、均勻度高。
  • LCM中的ITO Lead清潔。 
  • TP、OLED、LCD前、後段製程玻璃或film基板之清潔。
  • Cell、Array、LCM段等各項清潔製程中玻璃基板之清潔。
  • 素玻璃、ITO玻璃基板表面清潔及改質(如改善親水性)。
  • 晶圓(Wafer)的表面清潔。
  • 各式電子或非電子元件的表面清潔,可適用於多種金屬或非金屬材料的處理(如PI、PET、PE、塑膠等)。
  • 成長薄膜之應用。