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產品介紹
大氣電漿
介電屏障放電寬幅式
陣列式常壓...
產品介紹
介電屏障放電寬幅式
陣列式常壓電漿清洗機(間接式)
NEMST-Matrix2008 系列
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特色/設計說明
性能特點
應用/解決方案
DBD電極設計:電漿密度高。
單電極設計。
反應氣體使用氮氣(N2)。
電極幅寬大。
電極擴充性高,處理速度快。
樣品離電極的距離約為< 2 mm。
可單機或線上模組化。
屬間接式電漿。
可適用各種片材、薄膜材料。
保養及操作簡單方便。
採水冷系統。
僅處理樣品單面。
反應氣體使用氮氣(N2)。
電極幅寬:可依客戶需求設計,一般100mm~2000mm(若欲再寬可設計)
一般可處理的速度為0.5至5 m/min。(依製程需求,可進一步討論)
樣品離電極的距離約為< 2 mm。
屬間接式電漿,無ESD。
電漿穩定性、均勻度高。
LCM中的ITO Lead清潔。
TP、OLED、LCD前、後段製程玻璃或film基板之清潔。
Cell、Array、LCM段等各項清潔製程中玻璃基板之清潔。
素玻璃、ITO玻璃基板表面清潔及改質(如改善親水性)。
晶圓(Wafer)的表面清潔。
各式電子或非電子元件的表面清潔,可適用於多種金屬或非金屬材料的處理(如PI、PET、PE、塑膠等)。
成長薄膜之應用。
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